ON Semiconductor FDMS5672

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

231mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.6A Ta 22A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 78W Tc

Turn Off Delay Time

22 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

UltraFET™

已出版

2006

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

11.5MOhm

电压 - 额定直流

60V

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

22A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.5m Ω @ 10.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2800pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 10V

上升时间

17ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

10.6A

阈值电压

3.2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

双电源电压

60V

栅源电压

3.2 V

高度

750μm

长度

5mm

宽度

6mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅