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首页 全部分类 FDMS7606 vs IRF8714TRPBF

FDMS7606备选型号: IRF8714TRPBF

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  • 终端形式
  • 接通延迟时间
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS7606
    ON Semiconductor
    MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    211mg
    11.5A 12A
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    150°C
    -55°C
    1W
    260
    30
    R-PDSO-N6
    Dual
    增强型MOSFET
    2.5W
    排水源头
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    11.4m Ω @ 11.5A, 10V
    3V @ 250μA
    1400pF @ 15V
    22nC @ 10V
    3ns
    3 ns
    12A
    20V
    11.5A
    0.0114Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    50 pF
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8714TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    14A Ta
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    260
    30
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    8.7m Ω @ 14A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1020pF @ 15V
    12nC @ 4.5V
    9.9ns
    5 ns
    14A
    20V
    -
    -
    30V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    2004
    8.7MOhm
    DUAL
    鸥翼
    10 ns
    ±20V
    65 mJ
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无铅
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