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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.490441
10
¥10.84004
100
¥10.226451
500
¥9.647593
1000
¥9.101507
ON Semiconductor FDMS7606
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- 对比
FDMS7606
1807-FDMS7606
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerWDFN
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MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDMS7606详情
ON Semiconductor FDMS7606重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
211mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11.5A 12A
Number of Elements
2
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
1W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-N6
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.5W
箱体转运
排水源头
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
11.4m Ω @ 11.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1400pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 10V
上升时间
3ns
下降时间(典型值)
3 ns
连续放电电流(ID)
12A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
11.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.0114Ohm
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
反馈上限-最大值 (Crss)
50 pF
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
FDMS7606拓展信息








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