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首页 全部分类 FDMS7620S-F106 vs IRF8714TRPBF

FDMS7620S-F106备选型号: IRF8714TRPBF

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 晶体管元件材料
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS7620S-F106
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V POWER56
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    Sub-Base Mount
    8-PowerWDFN
    8
    10.1A 12.4A
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    150°C
    -55°C
    2.5W
    无铅
    R-PDSO-N6
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    排水源头
    6.6 ns
    1W
    2 N-Channel (Half Bridge)
    SWITCHING
    20m Ω @ 10.1A, 10V
    3V @ 250μA
    608pF @ 15V
    11nC @ 10V
    1.8ns
    30V
    1.5 ns
    12.4A
    20V
    10.1A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    31 pF
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8714TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    14A Ta
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    10 ns
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    8.7m Ω @ 14A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1020pF @ 15V
    12nC @ 4.5V
    9.9ns
    -
    5 ns
    14A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    2004
    e3
    EAR99
    8.7MOhm
    DUAL
    260
    30
    2.5W
    ±20V
    30V
    65 mJ
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    无铅
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