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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.014668
10
¥10.391196
100
¥9.803017
500
¥9.248126
1000
¥8.724654
ON Semiconductor FDMS7620S-F106
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- 对比
FDMS7620S-F106
1807-FDMS7620S-F106
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerWDFN
大陆
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MOSFET 2N-CH 30V POWER56
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¥
总价: ¥
FDMS7620S-F106详情
ON Semiconductor FDMS7620S-F106重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
Sub-Base Mount
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10.1A 12.4A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
17.4 ns
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
2.5W
终端形式
无铅
JESD-30代码
R-PDSO-N6
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
排水源头
接通延迟时间
6.6 ns
功率 - 最大
1W
场效应管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
20m Ω @ 10.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
608pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 10V
上升时间
1.8ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
1.5 ns
连续放电电流(ID)
12.4A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
10.1A
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
反馈上限-最大值 (Crss)
31 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMS7620S-F106拓展信息








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