FDMS7620S-F106备选型号: NVTFS4C13NTAG
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- 系列
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 终端形式
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 已出版
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 参考标准
- 配置
- Vgs(最大值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET 2N-CH 30V POWER56ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)16 Weeks表面贴装Sub-Base Mount8-PowerWDFN810.1A 12.4ATape & Reel (TR)PowerTrench®yes活跃1 (Unlimited)6150°C-55°C2.5W无铅R-PDSO-N62Dual增强型MOSFET排水源头6.6 ns1W2 N-Channel (Half Bridge)SWITCHING20m Ω @ 10.1A, 10V3V @ 250μA608pF @ 15V11nC @ 10V1.8ns30V1.5 ns12.4A20V10.1A30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard31 pFROHS3 Compliant-----------------
- MOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM-18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN814A TaTape & Reel (TR)-yesACTIVE (Last Updated: 1 week ago)1 (Unlimited)5---FLATS-PDSO-F5--增强型MOSFETDRAIN--N-ChannelSWITCHING9.4m Ω @ 30A, 10V-770pF @ 15V15.2nC @ 10V---14A20V40A----ROHS3 CompliantSILICON2.1V @ 250μA-55°C~175°C TJ2014e3EAR99Tin (Sn)DUALAEC-Q101SINGLE WITH BUILT-IN DIODE±20V0.0094Ohm30V152A10 mJnot_compliant无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | 对比 |
![]() | IRF8721TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | 对比 |
![]() | IRF8721PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | 对比 |



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