FDMS7660备选型号: FDMC7660
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET 30/20V Nch Power TrenchACTIVE (Last Updated: 2 days ago)18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN868.1mgSILICON25A Ta 42A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2007e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR992.8MOhmTin (Sn)DUALR-PDSO-N5Single增强型MOSFET2.5WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING2.8m Ω @ 25A, 10V3V @ 250μA5565pF @ 15V84nC @ 10V9ns±20V7 ns25A1.9VMO-240AA20V30V1.9 V1.05mm5mm6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------
- MOSFET N-CH 30V 20A 8-PQFNACTIVE (Last Updated: 6 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN832.13mgSILICON20A Ta 40A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2009e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99-Tin (Sn)DUALS-PDSO-N5Single增强型MOSFET2.3WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING2.2m Ω @ 20A, 10V2.5V @ 250μA4830pF @ 15V86nC @ 10V6.8ns±20V5.7 ns20A1.7VMO-240BA20V30V1.7 V1.05mm3.3mm3.3mm无SVHC-ROHS3 Compliant无铅无铅未说明not_compliant未说明不合格0.0022Ohm200A200 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF8788PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO | 对比 |
| FDMS7660AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | N-Channel 30 V 42 A 2.4 mOhm Surface Mount PowerTrench® SyncFETTM - Power56 | 对比 |



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