ON Semiconductor FDMC7660

工厂交货时间

10 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

质量

32.13mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Ta 40A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Turn Off Delay Time

36 ns

Power Dissipation (Max)

2.3W Ta 41W Tc

Number of Elements

1

已出版

2009

系列

PowerTrench®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-N5

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4830pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

86nC @ 10V

上升时间

6.8ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5.7 ns

连续放电电流(ID)

20A

阈值电压

1.7V

JEDEC-95代码

MO-240BA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0022Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

栅源电压

1.7 V

高度

1.05mm

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅