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首页 全部分类 FDMS7660AS vs FDMS7660

FDMS7660AS备选型号: FDMS7660

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  • 底架
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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电阻
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDMS7660AS
    ON Semiconductor
    N-Channel 30 V 42 A 2.4 mOhm Surface Mount PowerTrench® SyncFETTM - Power56
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    68.1mg
    SILICON
    26A Ta 42A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    83W
    DRAIN
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4m Ω @ 25A, 10V
    3V @ 1mA
    6120pF @ 15V
    90nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    5 ns
    26A
    1.9V
    MO-240AA
    20V
    0.0024Ohm
    30V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS7660
    ON Semiconductor
    MOSFET 30/20V Nch Power Trench
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    68.1mg
    SILICON
    25A Ta 42A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    -
    R-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.8m Ω @ 25A, 10V
    3V @ 250μA
    5565pF @ 15V
    84nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    7 ns
    25A
    1.9V
    MO-240AA
    20V
    -
    30V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2007
    2.8MOhm
    1.9 V
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