FDMS7694备选型号: IRF8721PBF
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 电阻
- 恢复时间
- MOSFET N-CH 30V POWER56ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)26 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN874mgSILICON13.2A Ta 20A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET27WDRAIN8.4 nsN-ChannelSWITCHING9.5m Ω @ 13.2A, 10V3V @ 250μA1410pF @ 15V22nC @ 10V2ns±20V1.6 ns20A2VMO-240AA20V47A0.0095Ohm30V50A2 V1.05mm5mm6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---
- MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC-39 Weeks-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8--14A Ta-55°C~150°C TJTubeHEXFET®--Discontinued1 (Unlimited)-EAR99---Single-2.5W-8.2 nsN-Channel-8.5m Ω @ 14A, 10V2.35V @ 25μA1040pF @ 15V12nC @ 4.5V11ns±20V7 ns14A2.35V-20V--30V-2.35 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅20078.5MOhm21 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMC7696 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 对比 | |
![]() | IRF8714PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8 | 对比 |
![]() | IRF8721PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | 对比 |



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