FDMS7698备选型号: IRFHM8330TRPBF

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 配置
  • 通道数量
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    74mg
    SILICON
    13.5A Ta 22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    29W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 13.5A, 10V
    3V @ 250μA
    1605pF @ 15V
    24nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    3 ns
    22A
    2V
    MO-240AA
    20V
    30V
    50A
    29 mJ
    2 V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    SILICON
    16A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    FLAT
    S-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    9.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.6m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1450pF @ 25V
    20nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    5.7 ns
    16A
    1.8V
    -
    20V
    30V
    -
    42 mJ
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    55A
    0.0066Ohm
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