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首页 全部分类 FDMS8090 vs FDS86140

FDMS8090备选型号: FDS86140

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDMS8090
    ON Semiconductor
    100V Symmetrical Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 40A, 13mO
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    250mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    2.2W
    R-PDSO-N4
    Dual
    增强型MOSFET
    59W
    DRAIN
    10.6 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    13m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    1800pF @ 50V
    27nC @ 10V
    4.6ns
    100V
    4 ns
    10A
    20V
    40A
    0.013Ohm
    100V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    750μm
    5mm
    6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS86140
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    11.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2011
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    5W
    -
    13.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.8m Ω @ 11.2A, 10V
    4V @ 250μA
    2580pF @ 50V
    41nC @ 10V
    5.6ns
    -
    4.8 ns
    11.2A
    20V
    -
    -
    100V
    -
    -
    1.5mm
    4mm
    5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    DUAL
    鸥翼
    ±20V
    2.7V
    2.7 V
    30 pF
    无SVHC
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