FDMS8090
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ON Semiconductor FDMS8090

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型号

FDMS8090

utmel 编号

1807-FDMS8090

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerWDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

100V Symmetrical Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 40A, 13mO

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FDMS8090
FDMS8090 ON Semiconductor 100V Symmetrical Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 40A, 13mO

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FDMS8090详情

ON Semiconductor FDMS8090重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerWDFN

  • 引脚数

    8

  • 质量

    250mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    17.4 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2017

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

  • 最大功率耗散

    2.2W

  • JESD-30代码

    R-PDSO-N4

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    59W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    10.6 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    13m Ω @ 10A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1800pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    27nC @ 10V

  • 上升时间

    4.6ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • 下降时间(典型值)

    4 ns

  • 连续放电电流(ID)

    10A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    40A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.013Ohm

  • 漏源击穿电压

    100V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 高度

    750μm

  • 长度

    5mm

  • 宽度

    6mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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FDMS8090拓展信息

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