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首页 全部分类 FDMS8460 vs FDS8638

FDMS8460备选型号: FDS8638

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 电阻
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 电压
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 已出版
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDMS8460
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 25A POWER56
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    25A Ta 49A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    2.2MOhm
    DUAL
    R-PDSO-N5
    40V
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2m Ω @ 25A, 10V
    3V @ 250μA
    7205pF @ 20V
    110nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    7 ns
    25A
    1.9V
    20V
    49A
    40V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS8638
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    18A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    4.3MOhm
    DUAL
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.3m Ω @ 18A, 10V
    3V @ 250μA
    5680pF @ 15V
    86nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    5 ns
    18A
    1.9V
    20V
    -
    40V
    1.575mm
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    130mg
    2006
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    鸥翼
    1.9 V
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