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首页 全部分类 FDMS86101A vs IRFS4510PBF

FDMS86101A备选型号: IRFS4510PBF

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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 栅源电压
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS86101A
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    68.1mg
    SILICON
    13A Ta 60A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    104W
    DRAIN
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 13A, 10V
    4V @ 250μA
    4120pF @ 50V
    58nC @ 10V
    5.4ns
    ±20V
    4 ns
    60A
    3.1V
    MO-240AA
    20V
    100V
    1.05mm
    5mm
    5.85mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS4510PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
    -
    52 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    -
    61A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2007
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    140W
    -
    13 ns
    N-Channel
    -
    13.9m Ω @ 37A, 10V
    4V @ 100μA
    3180pF @ 50V
    87nC @ 10V
    32ns
    ±20V
    -
    61A
    3V
    -
    20V
    -
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    100V
    3 V
    无铅
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