您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDMS86104 vs IRF6665TR1PBF

FDMS86104备选型号: IRF6665TR1PBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 终端
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDMS86104
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    7A Ta 16A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    100V
    Single
    16A
    增强型MOSFET
    73W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 7A, 10V
    4V @ 250μA
    923pF @ 50V
    16nC @ 10V
    3.5ns
    ±20V
    3.2 ns
    16A
    2.9V
    MO-240AA
    20V
    0.024Ohm
    100V
    96 mJ
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6665TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SH
    5
    -
    4.2A Ta 19A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    42W
    -
    7.4 ns
    N-Channel
    -
    62mOhm @ 5A, 10V
    5V @ 250μA
    530pF @ 25V
    13nC @ 10V
    2.8ns
    ±20V
    4.3 ns
    3.4A
    3V
    -
    20V
    -
    100V
    -
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    DIRECTFET™ SH
    SMD/SMT
    62MOhm
    150°C
    -40°C
    100V
    4.2A
    100V
    100V
    530pF
    62mOhm
    62 mΩ
    3 V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDMS86101 FDMS86101 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET 100/20V Nch Power Trench 对比
IRF6665TR1PBF IRF6665TR1PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric SH MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET 对比
FDMC8622 FDMC8622 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerWDFN N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET 100V, 16A, 56mO 对比