ON Semiconductor FDMS86104
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FDMS86104
1807-FDMS86104
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
--最小包装量--
FDMS86104详情
ON Semiconductor FDMS86104重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7A Ta 16A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 73W Tc
Turn Off Delay Time
14.3 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
JESD-30代码
R-PDSO-F5
电压
100V
元素配置
Single
电流
16A
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
73W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
24m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
923pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16nC @ 10V
上升时间
3.5ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3.2 ns
连续放电电流(ID)
16A
阈值电压
2.9V
JEDEC-95代码
MO-240AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.024Ohm
漏源击穿电压
100V
雪崩能量等级(Eas)
96 mJ
高度
1.05mm
长度
5mm
宽度
6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDMS86104拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
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