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首页 全部分类 FDMS86150ET100 vs NTMFS6B03NT1G

FDMS86150ET100备选型号: NTMFS6B03NT1G

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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDMS86150ET100
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    56.5mg
    16A Ta 128A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    260
    not_compliant
    未说明
    1
    Single
    18 ns
    N-Channel
    4.85m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    4065pF @ 50V
    62nC @ 10V
    8.3ns
    ±20V
    6 ns
    128A
    20V
    100V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS6B03NT1G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NTMFS6B03NT1G MOSFET Transistor, N Channel, 132 A, 100 V, 0.0038 ohm, 10 V, 4 V
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    5
    -
    19A Ta 132A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    1
    Single
    16 ns
    N-Channel
    4.8m Ω @ 20A, 10V
    4V @ 250μA
    4200pF @ 50V
    58nC @ 10V
    46ns
    ±20V
    11 ns
    132A
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    2014
    5
    DUAL
    FLAT
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    100V
    4V
    0.0048Ohm
    470A
    1.05mm
    6.1mm
    5.1mm
    无SVHC
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