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首页 全部分类 FDMS86152 vs IRFH5007TRPBF

FDMS86152备选型号: IRFH5007TRPBF

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  • 端子位置
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 电阻
  • 配置
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS86152
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    56.5mg
    SILICON
    14A Ta 45A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    TIN
    DUAL
    260
    30
    R-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 14A, 10V
    4V @ 250μA
    3370pF @ 50V
    50nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    5 ns
    45A
    MO-240AA
    20V
    0.006Ohm
    100V
    260A
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5007TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    SILICON
    17A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    30
    R-PDSO-N5
    -
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.9m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 150μA
    4290pF @ 25V
    98nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    11 ns
    100A
    -
    20V
    -
    75V
    400A
    无
    ROHS3 Compliant
    2011
    5.9MOhm
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    250 mJ
    2 V
    990.6μm
    6.1468mm
    5.15mm
    无SVHC
    无铅
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