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首页 全部分类 FDMS86152 vs IRFH5110TR2PBF

FDMS86152备选型号: IRFH5110TR2PBF

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDMS86152
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    56.5mg
    SILICON
    14A Ta 45A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    TIN
    DUAL
    260
    30
    R-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 14A, 10V
    4V @ 250μA
    3370pF @ 50V
    50nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    5 ns
    45A
    MO-240AA
    20V
    0.006Ohm
    100V
    260A
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5110TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    -
    11A Ta 63A Tc
    -
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    114W
    -
    7.8 ns
    N-Channel
    -
    12.4mOhm @ 37A, 10V
    4V @ 100μA
    3152pF @ 25V
    72nC @ 10V
    9.6ns
    -
    6.4 ns
    63A
    -
    20V
    -
    100V
    -
    无
    符合RoHS标准
    8-PQFN (5x6)
    2010
    150°C
    -55°C
    3.6W
    100V
    4V
    3.152nF
    51 ns
    12.4mOhm
    12.4 mΩ
    4 V
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
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