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首页 全部分类 FDMS86181 vs BSC040N10NS5ATMA1

FDMS86181备选型号: BSC040N10NS5ATMA1

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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 高度
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS86181
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 44A POWER56
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    90mg
    SILICON
    44A Ta 124A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    260
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.2m Ω @ 44A, 10V
    4V @ 250μA
    4125pF @ 50V
    59nC @ 10V
    ±20V
    17A
    2V
    MO-240AA
    20V
    0.0042Ohm
    100V
    337 mJ
    150°C
    40 pF
    52ns
    49ns
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC040N10NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    506.605978mg
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    -
    -
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    139W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4m Ω @ 50A, 10V
    3.8V @ 95μA
    5300pF @ 50V
    72nC @ 10V
    ±20V
    100A
    -
    -
    20V
    0.004Ohm
    100V
    200 mJ
    150°C
    -
    -
    -
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    2013
    无卤素
    9ns
    10 ns
    100V
    400A
    含铅
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BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON 对比