ON Semiconductor FDMS86181
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FDMS86181
1807-FDMS86181
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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MOSFET N-CH 100V 44A POWER56
--最小包装量--
FDMS86181详情
ON Semiconductor FDMS86181重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
90mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
44A Ta 124A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 125W Tc
Turn Off Delay Time
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.2m Ω @ 44A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4125pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
59nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
17A
阈值电压
2V
JEDEC-95代码
MO-240AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0042Ohm
漏源击穿电压
100V
雪崩能量等级(Eas)
337 mJ
最大结点温度(Tj)
150°C
反馈上限-最大值 (Crss)
40 pF
关断时间-最大值(toff)
52ns
接通时间-最大值(ton)
49ns
高度
1.1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMS86181拓展信息
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