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首页 全部分类 FDMS86202 vs BSC060N10NS3GATMA1

FDMS86202备选型号: BSC060N10NS3GATMA1

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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS86202
    ON Semiconductor
    N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 120V, 64A, 7.2mO
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    56.5mg
    13.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    1
    Single
    21 ns
    N-Channel
    7.2m Ω @ 13.5A, 10V
    4V @ 250μA
    4250pF @ 60V
    64nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    5 ns
    13.5A
    20V
    40A
    120V
    1.05mm
    5.1mm
    6.25mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC060N10NS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    14.9A Ta 90A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    20 ns
    N-Channel
    6m Ω @ 50A, 10V
    3.5V @ 90μA
    4900pF @ 50V
    68nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    12 ns
    14.9A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    5
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    125W
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    100V
    0.006Ohm
    360A
    230 mJ
    含铅
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