ON Semiconductor FDMS86202
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FDMS86202
1807-FDMS86202
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 120V, 64A, 7.2mO
--最小包装量--
FDMS86202详情
ON Semiconductor FDMS86202重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
56.5mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Power Dissipation (Max)
2.7W Ta 156W Tc
Turn Off Delay Time
27 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.2m Ω @ 13.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4250pF @ 60V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
64nC @ 10V
上升时间
6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
13.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
40A
漏源击穿电压
120V
高度
1.05mm
长度
5.1mm
宽度
6.25mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMS86202拓展信息
ON Semiconductor
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