FDMS86202备选型号: FDMS86101
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 电阻
- 端子位置
- JESD-30代码
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 最大结点温度(Tj)
- 达到SVHC
- 无铅
- N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 120V, 64A, 7.2mOACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN856.5mg13.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)1Single21 nsN-Channel7.2m Ω @ 13.5A, 10V4V @ 250μA4250pF @ 60V64nC @ 10V6ns±20V5 ns13.5A20V40A120V1.05mm5.1mm6.25mm无ROHS3 Compliant----------------
- MOSFET 100/20V Nch Power TrenchACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN868.1mg12.4A Ta 60A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2009e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99-1Single15 nsN-Channel8m Ω @ 13A, 10V4V @ 250μA3000pF @ 50V55nC @ 10V11ns±20V7 ns60A20V-100V1.1mm5.1mm6.25mm无ROHS3 CompliantTinSILICON58MOhmDUALR-PDSO-N5增强型MOSFET2.5WDRAINSWITCHING2.9VMO-240AA200A150°C无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS86101DC | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | N-Channel PowerTrench® MOSFET, Dual CoolTM 56, 100V, 60A, 7.5mO | 对比 | |
![]() | BSC060N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R | 对比 |
![]() | BSC046N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 8-Pin TDSON EP T/R | 对比 |




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