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FDMS86252L备选型号: FDMS2572

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  • 接通延迟时间
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS86252L
    ON Semiconductor
    FDMS86252L Series 150 V 12 A 56 mOhm N-Ch PowerTrench Mosfet - Power56
    8 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    74mg
    SILICON
    4.4A Ta
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    6.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    56m Ω @ 4.4A, 10V
    3V @ 250μA
    1335pF @ 75V
    21nC @ 10V
    1.4ns
    ±20V
    2.9 ns
    4.4A
    MO-240AA
    20V
    0.056Ohm
    150V
    30A
    73 mJ
    5mm
    1.05mm
    5.85mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS2572
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin Power 56 T/R
    10 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8-PowerWDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    210mg
    SILICON
    4.5A Ta 27A Tc
    UltraFET™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    2006
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    DUAL
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    47m Ω @ 4.5A, 10V
    4V @ 250μA
    2610pF @ 75V
    43nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    31 ns
    4.5A
    -
    20V
    -
    150V
    30A
    -
    5mm
    750μm
    6mm
    ROHS3 Compliant
    Gold
    47MOhm
    150V
    4.5A
    3V
    27A
    无SVHC
    无
    无铅
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