ON Semiconductor FDMS86252L

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

质量

74mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 50W Tc

Turn Off Delay Time

19 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

56m Ω @ 4.4A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1335pF @ 75V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21nC @ 10V

上升时间

1.4ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2.9 ns

连续放电电流(ID)

4.4A

JEDEC-95代码

MO-240AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.056Ohm

漏源击穿电压

150V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

雪崩能量等级（Eas）

73 mJ

高度

1.05mm

长度

5mm

宽度

5.85mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant