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首页 全部分类 FDMS86252L vs IRF7815PBF

FDMS86252L备选型号: IRF7815PBF

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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 宽度
  • RoHS状态
  • 阈值电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS86252L
    ON Semiconductor
    FDMS86252L Series 150 V 12 A 56 mOhm N-Ch PowerTrench Mosfet - Power56
    8 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    74mg
    SILICON
    4.4A Ta
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    6.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    56m Ω @ 4.4A, 10V
    3V @ 250μA
    1335pF @ 75V
    21nC @ 10V
    1.4ns
    ±20V
    2.9 ns
    4.4A
    MO-240AA
    20V
    0.056Ohm
    150V
    30A
    73 mJ
    5mm
    1.05mm
    5.85mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7815PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
    -
    -
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    SILICON
    5.1A Ta
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    2009
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    R-PDSO-G3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    8.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    43m Ω @ 3.1A, 10V
    5V @ 100μA
    1647pF @ 75V
    38nC @ 10V
    3.2ns
    ±20V
    8.3 ns
    5.1A
    -
    20V
    0.043Ohm
    150V
    -
    529 mJ
    4.9784mm
    1.4986mm
    3.9878mm
    ROHS3 Compliant
    4V
    62 ns
    4 V
    无SVHC
    无
    无铅
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