FDMS86322备选型号: FDMS86104
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 电压
- 电流
- 雪崩能量等级(Eas)
- 无铅
- N-Channel 80 V 7.65 mO 55 nC SMT PowerTrench® Mosfet - PQFN-8ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN868.1mgSILICON13A Ta 60A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2010e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET104WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING7.65m Ω @ 13A, 10V4V @ 250μA3000pF @ 50V55nC @ 10V20ns±20V13 ns13A2.9VMO-240AA20V60A0.00765Ohm80V200A1.05mm5mm6mm无SVHC无ROHS3 Compliant----
- MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFETACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-SILICON7A Ta 16A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET73WDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING24m Ω @ 7A, 10V4V @ 250μA923pF @ 50V16nC @ 10V3.5ns±20V3.2 ns16A2.9VMO-240AA20V-0.024Ohm100V-1.05mm5mm6mm无SVHC无ROHS3 Compliant100V16A96 mJ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS86104 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | 对比 | |
| FDMC8622 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET 100V, 16A, 56mO | 对比 |


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