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首页 全部分类 FDMS86520L vs IPA60R230P6XKSA1

FDMS86520L备选型号: IPA60R230P6XKSA1

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  • 通道数量
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  • 晶体管应用
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
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  • 最小工作温度
  • 无卤素
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    FDMS86520L
    ON Semiconductor
    MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    74mg
    SILICON
    13.5A Ta 22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.2m Ω @ 13.5A, 10V
    3V @ 250μA
    4615pF @ 30V
    63nC @ 10V
    5.6ns
    ±20V
    3.4 ns
    13.5A
    1.8V
    MO-240AA
    20V
    22A
    60V
    60A
    150°C
    1.8 V
    1.1mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA60R230P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
    -
    18 Weeks
    表面贴装
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    6.000006g
    -
    16.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    12 ns
    N-Channel
    -
    230mOhm @ 6.4A, 10V
    4.5V @ 530μA
    1450pF @ 100V
    31nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    6 ns
    16.8A
    -
    -
    20V
    -
    600V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PG-TO220-FP
    2008
    150°C
    -55°C
    无卤素
    600V
    600V
    1.45nF
    207mOhm
    230 mΩ
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