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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥20.725193
10
¥19.552068
100
¥18.445351
500
¥17.401272
1000
¥16.416297
Infineon Technologies IPA60R230P6XKSA1
- 收藏
- 对比
IPA60R230P6XKSA1
1211-IPA60R230P6XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
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MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPA60R230P6XKSA1详情
Infineon Technologies IPA60R230P6XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO220-FP
质量
6.000006g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16.8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
33W Tc
Turn Off Delay Time
38 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4.5V @ 530μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™ P6
已出版
2008
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
230mOhm @ 6.4A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1450pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
31nC @ 10V
上升时间
7ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6 ns
连续放电电流(ID)
16.8A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
漏源击穿电压
600V
输入电容
1.45nF
漏源电阻
207mOhm
最大rds
230 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPA60R230P6XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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