FDMS86569-F085备选型号: DMT6007LFG-7
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- 操作温度
- 包装
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 元素配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 已出版
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 60V 65A POWER5624 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8172.8mg65A Tc4V @ 250μAAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®-55°C~175°C TJCut Tape (CT)yesLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)1 (Unlimited)SingleN-Channel5.6m Ω @ 65A, 10V2560pF @ 30V54nC @ 10V60V±20V65AROHS3 Compliant-------
- MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI33323 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8-15A Ta 80A Tc2V @ 250μA--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)yes活跃1 (Unlimited)-N-Channel6m Ω @ 20A, 10V2090pF @ 30V41.3nC @ 10V60V±20V80AROHS3 Compliant2015e3EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明not_compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB80N06S4L05ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | 对比 |
![]() | FDB86569-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 60V SG N-channel PowerTrench MOSFET | 对比 |
![]() | DMT6007LFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333 | 对比 |





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