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FDMS86569-F085备选型号: IPB80N06S4L05ATMA2
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
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- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 终止次数
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- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 60V 65A POWER5624 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8172.8mg65A Tc4V @ 250μAAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®-55°C~175°C TJCut Tape (CT)yesLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)1 (Unlimited)SingleN-Channel5.6m Ω @ 65A, 10V2560pF @ 30V54nC @ 10V60V±20V65AROHS3 Compliant------------------------
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-316 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.946308g80A Tc2.2V @ 60μAAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)yes活跃1 (Unlimited)SingleN-Channel5.1m Ω @ 80A, 10V8180pF @ 25V110nC @ 10V-±16V80AROHS3 CompliantSILICON20092EAR99鸥翼未说明未说明R-PSSO-G21增强型MOSFET107WDRAIN14 ns无卤素4ns13 ns16V60V0.0048Ohm60V4.4mm10mm9.25mmnot_compliant- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB80N06S4L05ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | 对比 |
 | FDB86569-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 60V SG N-channel PowerTrench MOSFET | 对比 |
 | DMT6007LFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333 | 对比 |
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