FDMS86569-F085备选型号: FDB070AN06A0
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 元素配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 60V 65A POWER56LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)24 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8172.8mg65A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®yesObsolete1 (Unlimited)SingleN-Channel5.6m Ω @ 65A, 10V4V @ 250μA2560pF @ 30V54nC @ 10V60V±20V65AROHS3 Compliant------------------------------
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-263ABACTIVE (Last Updated: 4 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247g15A Ta 80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®yes活跃1 (Unlimited)SingleN-Channel7m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA3000pF @ 25V66nC @ 10V-±20V80AROHS3 CompliantSILICON2003e32SMD/SMTEAR997MOhmTin (Sn)60V鸥翼80AR-PSSO-G2增强型MOSFET175WDRAIN12 nsSWITCHING159ns35 ns4V20V60V60V4 V4.83mm10.67mm11.33mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMT6007LFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333 | 对比 |
![]() | IPB80N06S4L05ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | 对比 |
![]() | FDB86569-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 60V SG N-channel PowerTrench MOSFET | 对比 |





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