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首页 全部分类 FDMS8660AS vs BSC020N03LSGATMA1

FDMS8660AS备选型号: BSC020N03LSGATMA1

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  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    FDMS8660AS
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    68.1mg
    28A Ta 49A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2009
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2.1MOhm
    Single
    2.5W
    N-Channel
    2.1m Ω @ 28A, 10V
    3V @ 1mA
    5865pF @ 15V
    83nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    5 ns
    28A
    20V
    30V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC020N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    28A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2009
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    96W
    N-Channel
    2m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    7200pF @ 15V
    93nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    -
    28A
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    26 Weeks
    Tin
    SILICON
    e3
    8
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    30V
    0.0029Ohm
    400A
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