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FDMS8660AS备选型号: IRF8301MTRPBF
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 终止次数
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- 附加功能
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- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 30V 28A POWER56表面贴装表面贴装8-PowerTDFN868.1mg28A Ta 49A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2009yesObsolete1 (Unlimited)2.1MOhmSingle2.5WN-Channel2.1m Ω @ 28A, 10V3V @ 1mA5865pF @ 15V83nC @ 10V8ns±20V5 ns28A20V30V符合RoHS标准无铅-----------------
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MT7-34A Ta 192A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2013-活跃1 (Unlimited)-Single2.8WN-Channel1.5m Ω @ 32A, 10V2.35V @ 150μA6140pF @ 15V77nC @ 4.5V30ns±20V17 ns34A20V30VROHS3 Compliant无铅12 WeeksSILICON3EAR99超低电阻BOTTOMR-XBCC-N31增强型MOSFETDRAIN20 nsSWITCHING1.7V250A260 mJ无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS8018 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Single N-Channel 30 V 2.5 W 61 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - POWER 56-8 | 对比 |
| FDMS3006SDC | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET | 对比 |
| IRF8301MTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MT | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT | 对比 |
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