FDMS8660AS备选型号: FDMS3006SDC
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 宽度
- 长度
- 高度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 28A POWER56表面贴装表面贴装8-PowerTDFN868.1mg28A Ta 49A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2009yesObsolete1 (Unlimited)2.1MOhmSingle2.5WN-Channel2.1m Ω @ 28A, 10V3V @ 1mA5865pF @ 15V83nC @ 10V8ns±20V5 ns28A20V30V符合RoHS标准无铅-------------------
- MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET表面贴装表面贴装8-PowerTDFN890mg3.3W Ta 89W Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™-yesObsolete1 (Unlimited)-Single89WN-Channel1.9m Ω @ 30A, 10V3V @ 1mA5725pF @ 15V80nC @ 10V5.9ns±20V3.5 ns34A20V30V符合RoHS标准无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)SILICONe35EAR99Tin (Sn)FLATR-PDSO-F5增强型MOSFETDRAIN16 nsSWITCHINGMO-240AA49A200A5.85mm5.1mm1.05mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS8018 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Single N-Channel 30 V 2.5 W 61 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - POWER 56-8 | 对比 | |
| FDMS3006SDC | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET | 对比 | |
![]() | IRF8301MTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MT | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT | 对比 |



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