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首页 全部分类 FDMS8820 vs IRF6724MTRPBF

FDMS8820备选型号: IRF6724MTRPBF

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  • JESD-30代码
  • 元素配置
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 配置
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    FDMS8820
    ON Semiconductor
    MOSFET NCh 30V 116A 2.4mOhm
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    68.1mg
    SILICON
    28A Ta 116A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    78W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 28A, 10V
    2.5V @ 250μA
    5315pF @ 15V
    88nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    13 ns
    116A
    MO-240AA
    20V
    0.002Ohm
    30V
    294 mJ
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6724MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    5
    -
    SILICON
    27A Ta 150A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e1
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    -
    R-XBCC-N3
    -
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5m Ω @ 27A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4404pF @ 15V
    54nC @ 4.5V
    19ns
    ±20V
    16 ns
    27A
    -
    20V
    -
    30V
    12 mJ
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2009
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    212A
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