FDMS8820备选型号: STL150N3LLH6
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- MOSFET NCh 30V 116A 2.4mOhmACTIVE (Last Updated: 4 days ago)18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN868.1mgSILICON28A Ta 116A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET78WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING2m Ω @ 28A, 10V2.5V @ 250μA5315pF @ 15V88nC @ 10V16ns±20V13 ns116AMO-240AA20V0.002Ohm30V294 mJ1.05mm5mm6mm无ROHS3 Compliant无铅------
- MOSFET NCH 30V 150A POWERFLAT5X6ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8-SILICON150A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VIe3-活跃1 (Unlimited)5EAR99Matte Tin (Sn) - annealedDUAL-R-PDSO-N5-增强型MOSFET80WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING2.4m Ω @ 16.5A, 10V1V @ 250μA4040pF @ 25V40nC @ 4.5V18ns±20V46 ns150A-20V-30V----无ROHS3 Compliant无铅2.4mOhm26030STL1508SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6 | 对比 |
![]() | IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew | 对比 |
![]() | STL150N3LLH6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET NCH 30V 150A POWERFLAT5X6 | 对比 |




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