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首页 全部分类 FDMS9620S vs IRF8513PBF

FDMS9620S备选型号: IRF8513PBF

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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
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  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 基本部件号
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  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDMS9620S
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V Dual N-Ch PowerTrenchAr MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    228mg
    SILICON
    7.5A 10A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2007
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    32MOhm
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    2.5W
    Dual
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    1W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    21.5m Ω @ 7.5A, 10V
    3V @ 250μA
    665pF @ 15V
    14nC @ 10V
    13ns
    7 ns
    10A
    1.6V
    20V
    7.5A
    30V
    60A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    750μm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8513PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    -
    8A 11A
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2008
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    15.5MOhm
    -
    2.4W
    Dual
    -
    2.4W
    -
    1.5W 2.4W
    2 N-Channel (Dual)
    -
    15.5mOhm @ 8A, 10V
    2.35V @ 25μA
    766pF @ 15V
    8.6nC @ 4.5V
    -
    -
    8A
    1.8V
    20V
    -
    30V
    -
    -
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    8-SO
    SMD/SMT
    175°C
    -55°C
    IRF8513PBF
    30V
    30V
    766pF
    23 ns
    22.2mOhm
    15.5 mΩ
    1.8 V
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