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FDN358P备选型号: FDN357N
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- 晶体管元件材料
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- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 附加功能
- 最小击穿电压
30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3330mgSILICON1.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2003e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99125MOhmTin (Sn)-30VDUAL鸥翼-1.5A1Single增强型MOSFET500mW5 nsP-ChannelSWITCHING125m Ω @ 1.5A, 10V3V @ 250μA182pF @ 15V5.6nC @ 10V13ns30V±20V13 ns1.5A-1.9V20V-30V-30V150°C-1.9 V1.22mm2.92mm3.05mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---- MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3330mgSILICON1.9A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-1998e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR9960MOhmTin (Sn)30VDUAL鸥翼1.9A-Single增强型MOSFET500mW5 nsN-ChannelSWITCHING60m Ω @ 2.2A, 10V2V @ 250μA235pF @ 10V5.9nC @ 5V12ns-±20V12 ns1.9A1.6V20V30V30V-1.6 V940μm2.92mm3.05mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SMD/SMT逻辑电平兼容30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDN361BN | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 | 对比 |
 | ZXMP3A13FTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3 | 对比 |
| FDN357N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 | 对比 |
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