FDN372S备选型号: FDN359BN
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 生命周期状态
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- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
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- 端子表面处理
- 端子位置
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- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3330mg2.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2002yesObsolete1 (Unlimited)SMD/SMT40MOhm30V2.6ASingle500mWN-Channel40m Ω @ 2.6A, 10V3V @ 1mA630pF @ 15V8.1nC @ 5V5ns±16V5 ns2.6A16V30V30V1.4 V无SVHC符合RoHS标准无铅----------------
- N CHANNEL MOSFET, 30V, 2.7mA - More Details表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3330mg2.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006yes活跃1 (Unlimited)-46mOhm30V2.7ASingle500mWN-Channel46m Ω @ 2.7A, 10V3V @ 250μA650pF @ 15V7nC @ 5V5ns±20V5 ns2.7mA20V30V-1.8 V无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)10 WeeksSILICONe33EAR99Tin (Sn)DUAL鸥翼增强型MOSFET7 nsSWITCHING940μm2.92mm1.4mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 | 对比 |
![]() | IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 | 对比 |




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