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FDN372S备选型号: IRLML2030TRPBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3330mg2.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2002yesObsolete1 (Unlimited)SMD/SMT40MOhm30V2.6ASingle500mWN-Channel40m Ω @ 2.6A, 10V3V @ 1mA630pF @ 15V8.1nC @ 5V5ns±16V5 ns2.6A16V30V30V1.4 V无SVHC符合RoHS标准无铅-------------------
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-2.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2003-活跃1 (Unlimited)-100MOhm--Single1.3WN-Channel100m Ω @ 2.7A, 10V2.3V @ 25μA110pF @ 15V1nC @ 4.5V3.3ns±20V2.9 ns2.7A20V30V-1.7 V无SVHCROHS3 Compliant无铅12 WeeksSILICONe33EAR99Matte Tin (Sn)DUAL鸥翼增强型MOSFET4.1 nsSWITCHING1.7V2.2A11A14 ns1.016mm3.0226mm1.397mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 | 对比 |
| IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 | 对比 |
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