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首页 全部分类 FDN372S vs IRLML5203TRPBF

FDN372S备选型号: IRLML5203TRPBF

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  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDN372S
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    30mg
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2002
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    40MOhm
    30V
    2.6A
    Single
    500mW
    N-Channel
    40m Ω @ 2.6A, 10V
    3V @ 1mA
    630pF @ 15V
    8.1nC @ 5V
    5ns
    ±16V
    5 ns
    2.6A
    16V
    30V
    30V
    1.4 V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML5203TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2003
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    98MOhm
    -30V
    -3A
    Single
    1.25W
    P-Channel
    98m Ω @ 3A, 10V
    2.5V @ 250μA
    510pF @ 25V
    14nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    52 ns
    -3A
    20V
    -30V
    -30V
    -2.5 V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    增强型MOSFET
    12 ns
    SWITCHING
    30V
    -2.5V
    3A
    24A
    1.016mm
    3.0226mm
    3.05mm
    无
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 对比
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