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首页 全部分类 FDN537N vs IRLML0030TRPBF

FDN537N备选型号: IRLML0030TRPBF

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  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 通道数量
  • 阈值电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDN537N
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    30mg
    SILICON
    6.5A Ta 6.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.29.00.95
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 6.5A, 10V
    3V @ 250μA
    465pF @ 15V
    8.4nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    10 ns
    6.5A
    20V
    8A
    30V
    25A
    940μm
    2.92mm
    1.4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML0030TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    SILICON
    5.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1998
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    5.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    27m Ω @ 5.2A, 10V
    2.3V @ 25μA
    382pF @ 15V
    2.6nC @ 4.5V
    4.4ns
    ±20V
    4.4 ns
    5.3A
    20V
    -
    30V
    -
    1.12mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无
    ROHS3 Compliant
    27MOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    260
    30
    1
    1.7V
    17 ns
    150°C
    1.7 V
    无SVHC
    无铅
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