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首页 全部分类 FDN537N vs IRLML5203TRPBF

FDN537N备选型号: IRLML5203TRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDN537N
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    30mg
    SILICON
    6.5A Ta 6.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.29.00.95
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 6.5A, 10V
    3V @ 250μA
    465pF @ 15V
    8.4nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    10 ns
    6.5A
    20V
    8A
    30V
    25A
    940μm
    2.92mm
    1.4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML5203TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
    -
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    SILICON
    3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2003
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.25W
    12 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    98m Ω @ 3A, 10V
    2.5V @ 250μA
    510pF @ 25V
    14nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    52 ns
    -3A
    20V
    3A
    -30V
    24A
    1.016mm
    3.0226mm
    3.05mm
    无
    ROHS3 Compliant
    SMD/SMT
    98MOhm
    -30V
    -3A
    30V
    -2.5V
    -30V
    -2.5 V
    无SVHC
    含铅
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