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首页 全部分类 FDN86246 vs CPH3351-TL-W

FDN86246备选型号: CPH3351-TL-W

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
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  • RoHS状态
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 最大结点温度（Tj）
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDN86246
    ON Semiconductor
    MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    30mg
    SILICON
    1.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    4.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    261m Ω @ 1.6A, 10V
    4V @ 250μA
    225pF @ 75V
    5nC @ 10V
    1.1ns
    ±20V
    2.9 ns
    1.6A
    3.4V
    20V
    150V
    3.4 V
    5 pF
    940μm
    1.4mm
    2.92mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    CPH3351-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    -
    SILICON
    1.8A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    增强型MOSFET
    1W
    5.1 ns
    P-Channel
    -
    250m Ω @ 1A, 10V
    2.6V @ 1mA
    262pF @ 20V
    6nC @ 10V
    5.4ns
    ±20V
    19 ns
    -1.8A
    -1.2V
    20V
    -60V
    -
    -
    1.05mm
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-G3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    60V
    0.25Ohm
    150°C
    无铅
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