Infineon Technologies IRLML2803TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

Micro3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

540mW Ta

Turn Off Delay Time

9 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2007

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

250mOhm

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

1.2A

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

540mW

接通延迟时间

3.9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

250m Ω @ 910mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

85pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5nC @ 10V

上升时间

4ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

1.7 ns

连续放电电流(ID)

1.2A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

1 V

最小击穿电压

30V

高度

1.12mm

长度

3.0226mm

宽度

1.397mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅