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FDP036N10A备选型号: IRFB4310ZPBF
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- 包装/外壳
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- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 阈值电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)9 Weeks通孔通孔TO-220-331.8gSILICON120A Tc-55°C~175°C TJTubePowerTrench®2010e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR993.6MOhmTin (Sn)超低电阻未说明未说明不合格Single增强型MOSFET227WDRAIN22 nsN-ChannelSWITCHING3.6m Ω @ 75A, 10V4V @ 250μA7295pF @ 25V116nC @ 10V54ns±20V11 ns214ATO-220AB20V100V704A658 mJ3 V9.4mm10.67mm4.83mm无SVHCROHS3 Compliant无铅-----
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB-12 Weeks通孔通孔TO-220-33-SILICON120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008--活跃1 (Unlimited)3EAR996MOhm-----Single增强型MOSFET250WDRAIN20 nsN-ChannelSWITCHING6m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA6860pF @ 50V170nC @ 10V60ns±20V57 ns140ATO-220AB20V100V560A-4 V9.017mm10.668mm4.826mm无SVHCROHS3 Compliant无铅通孔4V100V40 ns无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB4110PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 3.7 Milliohms; ID 180A; TO-220AB; PD 370W | 对比 |
| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 8 Milliohms; Id 88A; TO-220AB; Pd 200W; Vf 1.3V | 对比 |
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB | 对比 |
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