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首页 全部分类 FDP036N10A vs IRFB4410PBF

FDP036N10A备选型号: IRFB4410PBF

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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 螺纹距离
  • 反向恢复时间
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDP036N10A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    3.6MOhm
    Tin (Sn)
    超低电阻
    未说明
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    227W
    DRAIN
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.6m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    7295pF @ 25V
    116nC @ 10V
    54ns
    ±20V
    11 ns
    214A
    TO-220AB
    20V
    100V
    704A
    658 mJ
    3 V
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4410PBF
    Infineon Technologies
    Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 8 Milliohms; Id 88A; TO-220AB; Pd 200W; Vf 1.3V
    -
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    88A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    10mOhm
    镍外哑光锡
    -
    250
    30
    -
    Single
    增强型MOSFET
    250W
    -
    24 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 58A, 10V
    4V @ 150μA
    5150pF @ 50V
    180nC @ 10V
    80ns
    ±20V
    50 ns
    88A
    TO-220AB
    20V
    100V
    -
    220 mJ
    4 V
    9.017mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    100V
    96A
    2.54mm
    38 ns
    4V
    75A
    100V
    无
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